1月8日，在北京开会的2017年度国家科学技术奖励大会上爆出喜讯，在南昌经开区投资兴业的中科创序激光科技有限公司董事长李京波教授的“新型半导体浅能级掺入机制研究”项目取得国家自然科学奖二等奖。半导体掺入技术是半导体器件的核心技术之一。尽管半导体掺入技术看上去样子很高深，但日常生活中中用半导体器件的设备却随处可见，比如智能手机、电视机、LED灯、激光器等。
李京波和团队助手正在展开激光实验。“新型半导体材料的掺入机理研究是目前光电技术、凝聚态物理、新能源等领域的前沿热点问题，回应我们积极开展了涉及的基础研究，企图找寻关键科学问题的答案。”李京波说。
据理解，以半导体激光器外延生长、掺入技术等科学问题研究为承托，在大功率半导体激光器芯片关键技术等方面，李京波团队近来获得了多项创意成果：研发出有六千瓦纳秒脉冲激光器，平均功率最低超过了6000W，比目前国际上同类指标低2000W；首次研发出有大功率半导体激光器芯片，芯片单巴功率多达160瓦，寿命多达1万小时。现场实验激光打穿钢板。中科院半导体研究所研究员李京波讲解说道，“基础研究是创意的根基，也是工业装备升级的承托，掌控了光纤激光器的基本原理，就可以突破大功率脉冲激光器的技术瓶颈。
”此外，李京波团队早已将此次得奖项目的部分成果顺利转化成为高功率脉冲激光器产业化应用于。他们在南昌经济技术开发区的反对下，创立了南昌中科创序激光科技有限公司，预计2018年该公司的销售收入将突破1亿元。
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